憶阻器是一種具有電荷記憶功能的非線性電阻，通過控制電流的變化可改變其阻值，自從2008年HP公司制備出了憶阻器，科學(xué)家們意識(shí)到憶阻器的優(yōu)勢(shì)和作用，所以現(xiàn)在也有很多院所開始進(jìn)行憶阻器的研究

憶阻器研究分為基礎(chǔ)性能研究測(cè)試，神經(jīng)突觸/神經(jīng)元測(cè)試以及陣列測(cè)試，今天主要介紹一下基礎(chǔ)研究測(cè)試

基礎(chǔ)研究分為四步，分別是Forming 前后特性驗(yàn)證、直流特性測(cè)試、交流特性測(cè)試、脈沖特性測(cè)試

憶阻器直流特性測(cè)試通常與 Forming 結(jié)合，主要測(cè)試憶阻器直流 V-I 曲線，并以此推算 SET/ RESET 電壓 / 電流、HRS、LRS 等憶阻器重要 參數(shù)，可以進(jìn)行單向掃描或雙向掃描。

憶阻器交流特性主要進(jìn)行捏滯回線的測(cè)試，捏滯 回線是鑒別憶阻器類型的關(guān)鍵

憶阻器脈沖測(cè)試能有效地減小直流測(cè)試積累的焦 耳熱的影響，同時(shí)，也可以用來研究熱量對(duì)器件 性能的影響。由于憶阻器表征技術(shù)正向極端化發(fā) 展，皮秒級(jí)脈沖擦寫及信號(hào)捕捉的需求日益強(qiáng)烈。

如果要進(jìn)行基礎(chǔ)測(cè)試需要的儀器有：信號(hào)發(fā)生器，源表，電源以及示波器