羅德與施瓦茨示波器MXO 5系列應(yīng)對SiC/GaN功率器件的高速挑戰(zhàn)
在新能源汽車、5G基站等領(lǐng)域,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體器件正加速替代傳統(tǒng)硅基器件。GaN的開關(guān)速度可達硅基器件的10倍,SiC模塊開關(guān)頻率亦達數(shù)百kHz,但這一優(yōu)勢也給測試測量帶來了高頻噪聲、納米級瞬態(tài)信號捕獲等難題,傳統(tǒng)示波器常因帶寬不足、采樣率低陷入瓶頸。羅德與施瓦茨R&S?MXO 5系列示波器憑借突破性技術(shù),成為破解這些挑戰(zhàn)的核心工具。

高頻信號的精準捕獲,首重硬件性能。MXO 5系列提供350MHz至2GHz帶寬,搭配12位ADC與18位高清模式架構(gòu),在全采樣率下保持高垂直分辨率。其1mV/div量程與2GHz全帶寬下噪聲低至130μV,能從噪聲中精準提取SiC/GaN器件的微弱開關(guān)信號。更關(guān)鍵的是,其單通道>450萬波形/秒的捕獲率,配合多通道1800萬波形/秒的總速率,實現(xiàn)99%的實時信號采集,徹底杜絕高速瞬態(tài)信號的遺漏。
動態(tài)測試中的觸發(fā)精度直接決定測量有效性。MXO 5采用數(shù)字觸發(fā)技術(shù),靈敏度高達0.0001/div,觸發(fā)抖動僅1ps,能精準鎖定SiC/GaN器件開關(guān)過程中的異常脈沖。在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)測試中,工程師可借助其區(qū)域觸發(fā)功能,同時監(jiān)測模擬信號與頻譜,快速定位柵極驅(qū)動電路的寄生振蕩——這一功能已在48V轉(zhuǎn)12V直流轉(zhuǎn)換器測試中得到驗證,成功檢測出控制環(huán)路的異常事件。
多通道同步與深存儲能力,適配復(fù)雜功率拓撲測試需求。SiC/GaN功率模塊常采用多橋臂結(jié)構(gòu),MXO 5的8通道型號可同步捕獲所有功率器件的開關(guān)波形,配合500Mpts標準深存儲,能完整記錄1秒內(nèi)的高頻信號細節(jié)。在光伏逆變器測試中,其同步4路FFT頻譜分析功能,可同時追蹤基波與諧波分量,助力工程師優(yōu)化EMI性能,解決高頻開關(guān)帶來的電磁干擾問題。
從研發(fā)到量產(chǎn),MXO 5系列的適配性貫穿全流程。研發(fā)階段,18位高清模式可清晰呈現(xiàn)閾值電壓漂移等微小參數(shù)變化;量產(chǎn)階段,其快速測試能力與穩(wěn)定性能提升檢測效率。相較于傳統(tǒng)設(shè)備,其在SiC/GaN器件開關(guān)損耗測量中誤差可控制在0.5%以內(nèi),顯著降低產(chǎn)品迭代成本。

SiC/GaN器件的高速特性推動電力電子技術(shù)革新,而MXO 5系列以高帶寬、高保真、高捕獲率的核心優(yōu)勢,構(gòu)建了完整的測試解決方案,成為寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)落地的重要支撐。
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