在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，半導(dǎo)體器件的性能與可靠性成為眾多行業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵支撐，從消費(fèi)電子到新能源汽車，從工業(yè)控制到航空航天，無一不依賴高性能半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定運(yùn)行。

半導(dǎo)體器件在實(shí)際應(yīng)用中，常常會(huì)遭遇各種極端工況，如電路短路、電壓突變、負(fù)載突變等，這些情況可能引發(fā)器件內(nèi)部的雪崩擊穿現(xiàn)象。

TH530系列雪崩測試儀能夠精準(zhǔn)模擬這些極端工況，對器件的雪崩能量耐受能力進(jìn)行全面測試。通過測試，可以篩選出雪崩擊穿下能穩(wěn)定工作的器件，確保可靠性，減少系統(tǒng)故障，提升電子系統(tǒng)穩(wěn)定性和安全性。

A.高精度數(shù)據(jù)采集

TH530系列具備高精度的電流與電壓波形捕捉及提取能力，同時(shí)能夠精準(zhǔn)捕捉雪崩持續(xù)時(shí)間。該設(shè)備可針對雪崩電壓最高達(dá)2500V、峰值電流為200A等級的半導(dǎo)體器件開展測試工作。

TH530系列可將波形保存到測試結(jié)果文件中，在顯示屏幕上用戶最多可查看最近四次的波形數(shù)據(jù)。

為便于用戶查看，測試儀默認(rèn)同時(shí)顯示電壓電流波形，用戶仍可觸摸“電壓”或“電流”來單獨(dú)查看對應(yīng)波形。

B.單/雙通道測試模式

TH530系列具備單通道和雙通道兩種測試模式，能夠針對N型或P型半導(dǎo)體器件，以及N/P組合型器件展開全面測試，涵蓋的器件類型包括但不限于MOSFET、IGBT以及二極管等常見功率半導(dǎo)體器件。

通過靈活配置測試通道和參數(shù)，可精準(zhǔn)評估不同類型器件的電氣特性與性能指標(biāo)，為半導(dǎo)體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供可靠的數(shù)據(jù)支持。

C.多器件兼容性

TH530系列是同惠電子針對半導(dǎo)體器件UIS（EAS）、EAR參數(shù)測量問題的解決方案。主要用于測量MOSFET、IGBT、Diode和雙極性器件（帶鉗位）的雪崩擊穿特性（電壓、能量等）。

通過給被測器件施加可控制的感性能量，判斷出被測器件是否能正常吸收和承受電感釋放的能量。經(jīng)過雪崩測試的器件，就可安全地用于有反向電動(dòng)勢的感性負(fù)載上。

D.泄漏測試：可選擇性啟用

每次雪崩測試前，在柵極電壓設(shè)置為0的情況下，用戶設(shè)置的泄漏電壓會(huì)被施加到被測件上，讀取電流檢測器測量值。

TH530系列可以在雪崩測試前、測試后或測試前后對被測件進(jìn)行泄漏測試。這不是測量實(shí)際漏電電流，而是確定被測件或測試夾具中是否存在短路的簡單測試。 

TH530系列內(nèi)部配備的漏電穩(wěn)壓器，其電壓可調(diào)節(jié)范圍為2V—28V，用戶可依據(jù)被測試裝置雪崩測試所設(shè)定的漏極電壓值進(jìn)行靈活設(shè)置。

在該測試過程中，當(dāng)檢測到的漏電流超過1mA 時(shí)，系統(tǒng)將判定為出現(xiàn)漏電故障；同時(shí)，漏電流的最大允許值被限定為8mA。

E.雪崩測試原理

TH530系列配備TH530-01型可編程電感負(fù)載箱，它提供從 0.01mH 到159.9mH 的電感值。

當(dāng)高速開關(guān)和被測件接通時(shí)，漏極電流增加，到達(dá)指定的比較點(diǎn)時(shí)，高速開關(guān)與被測件柵極同時(shí)關(guān)斷。關(guān)斷后由于電感中電流無法突變，因?yàn)槔m(xù)流二極管的存在，電流路徑得以維持，電感存儲(chǔ)的能量將泄放至被測件(以NMOS為例)上，致使被測件進(jìn)入雪崩狀態(tài)，此時(shí)被測件DS兩端電壓即為雪崩電壓，而此時(shí)電感上被轉(zhuǎn)移的能量，可認(rèn)為是NMOS的雪崩能量(EAS)。

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)基石，性能與可靠性影響電子系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。TH530系列雪崩測試儀具備精準(zhǔn)模擬極端工況的能力，可對半導(dǎo)體器件的雪崩能量耐受力展開全面測試，進(jìn)而為企業(yè)篩選出性能穩(wěn)定的器件提供有力支持。