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同惠TH1991C電流源雪崩光電二極管暗電流測(cè)試技術(shù)應(yīng)用

發(fā)布日期:2025-10-30 14:51:19         瀏覽數(shù):   

一、引言

雪崩光電二極管(Avalanche Photodiode, APD)憑借高靈敏度、快速響應(yīng)特性,已成為光通信、軍事雷達(dá)、光纖傳感等領(lǐng)域的核心光電器件。其核心性能指標(biāo)——暗電流(Dark Current),即無光照條件下二極管的反向飽和電流,直接關(guān)系到器件的噪聲水平和信號(hào)信噪比。尤其在軍工、精密探測(cè)等場(chǎng)景中,暗電流的精準(zhǔn)測(cè)試是保障系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。本文結(jié)合實(shí)際應(yīng)用案例,介紹基于精密源測(cè)量單元(SMU)的APD暗電流測(cè)試方案。

二、測(cè)試需求與難點(diǎn)分析

APD暗電流通常處于納安(nA)甚至皮安(pA)級(jí)別,測(cè)試過程易受環(huán)境噪聲、儀器精度等因素干擾。以某軍工研究所及武漢XX光電科技有限公司的實(shí)際需求為例,測(cè)試對(duì)象為光耦繼電器內(nèi)置APD器件,測(cè)試參數(shù)明確要求暗電流精度達(dá)0.9nA。傳統(tǒng)萬(wàn)用表或簡(jiǎn)易電源測(cè)試方法因噪聲過大、分辨率不足,難以滿足此類高精度需求,亟需專業(yè)解決方案。

同惠TH1991C電流源雪崩光電二極管暗電流測(cè)試技術(shù)應(yīng)用(圖1)

三、方案配置與原理

針對(duì)上述需求,方案采用TH1991C精密源/測(cè)量單元(SMU)作為核心設(shè)備。SMU是一種集直流電源、電壓表、電流表于一體的高精度測(cè)試儀器,可同步輸出偏置電壓并測(cè)量微小電流,其核心優(yōu)勢(shì)包括:

1. 高分辨率:電流測(cè)量分辨率低至fA(10?1?A)量級(jí),輕松覆蓋0.9nA的測(cè)試精度要求;

2. 低噪聲設(shè)計(jì):通過屏蔽干擾、優(yōu)化電路結(jié)構(gòu),有效抑制環(huán)境噪聲對(duì)微弱信號(hào)的影響;

3. 四端口測(cè)量:采用開爾文接線法,消除測(cè)試線電阻帶來的測(cè)量誤差;

4. 自動(dòng)化控制:支持PC軟件編程,可實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)試、數(shù)據(jù)自動(dòng)記錄與分析。

四、測(cè)試方法與步驟

1. 設(shè)備連接

將TH1991C的輸出端與APD器件引腳連接(正極接陽(yáng)極,負(fù)極接陰極),確保測(cè)試環(huán)境避光(如使用遮光盒),避免光照引入額外電流。

2. 參數(shù)設(shè)置

在儀器界面或控制軟件中設(shè)置測(cè)試參數(shù):

源電壓:根據(jù)APD規(guī)格書設(shè)定反向偏置電壓(典型值為幾十至幾百伏);

測(cè)量模式:選擇“源電壓-測(cè)電流”模式;

量程設(shè)置:電流測(cè)量量程設(shè)為1nA檔,確保分辨率優(yōu)于0.1nA;

濾波與平均:開啟低通濾波,設(shè)置多次采樣平均以降低隨機(jī)噪聲。

3. 數(shù)據(jù)采集與分析

儀器自動(dòng)輸出偏置電壓,實(shí)時(shí)測(cè)量APD反向電流。測(cè)試結(jié)果顯示于儀器屏幕(如場(chǎng)景圖片中TH1991C界面),并通過軟件生成數(shù)據(jù)報(bào)表,直觀判斷暗電流是否滿足0.9nA的設(shè)計(jì)要求。

五、應(yīng)用場(chǎng)景與案例實(shí)踐

APD暗電流直接影響產(chǎn)品在惡劣環(huán)境(如強(qiáng)電磁干擾、高溫)下的可靠性,采用TH1991C方案后,測(cè)試精度提升3倍,產(chǎn)品良率從85%提升至98%,成功打入高端工業(yè)控制市場(chǎng)。在某雷達(dá)探測(cè)系統(tǒng)中,APD需在低溫、強(qiáng)輻射環(huán)境下工作,暗電流穩(wěn)定性要求極高(波動(dòng)<0.5nA)。TH1991C憑借寬溫度范圍(-40℃~85℃)工作特性和抗輻射設(shè)計(jì),確保了器件在極端條件下的性能一致性,保障了雷達(dá)系統(tǒng)的探測(cè)精度。

 

同惠TH1991C電流源雪崩光電二極管暗電流測(cè)試技術(shù)應(yīng)用(圖2)

六、競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)與總結(jié)

相比傳統(tǒng)測(cè)試方案,基于TH1991C的APD暗電流測(cè)試方案具有以下核心優(yōu)勢(shì):

1. 完美解決低電流測(cè)試難題:納安級(jí)分辨率與低噪聲設(shè)計(jì),滿足軍工、精密探測(cè)等高精度場(chǎng)景需求;

2. 高性價(jià)比:集成源、表功能,替代傳統(tǒng)電源+萬(wàn)用表的組合,降低設(shè)備成本與空間占用;

3. 操作簡(jiǎn)便:自動(dòng)化測(cè)試流程減少人工誤差,提升測(cè)試效率50%以上。

該方案為APD器件的性能優(yōu)化與系統(tǒng)集成提供了可靠支撐,推動(dòng)了光電器件在高端裝備領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。隨著光通信、量子探測(cè)等技術(shù)的發(fā)展,高精度暗電流測(cè)試技術(shù)將持續(xù)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

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