TH2690碳化硅材料高阻值測試報(bào)告
本次測試旨在對碳化硅材料進(jìn)行高阻值及漏電流性能評估，測試儀器采用TH2690高阻計(jì)，測試環(huán)境為圖靈實(shí)驗(yàn)室，測試時(shí)環(huán)境溫度為25.5°C，相對濕度為60%，環(huán)境條件穩(wěn)定，符合電子材料測試標(biāo)準(zhǔn)要求，確保測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與可重復(fù)性。
測試時(shí)的環(huán)境條件和地點(diǎn)
Environment Condition and site at Verification
溫度Temperature | 25.5°C | 相對濕度Relative | 60% | 地點(diǎn)Site | 圖靈實(shí)驗(yàn)室 |
被測件為碳化硅（SiC）材料，該材料因其寬禁帶特性，廣泛應(yīng)用于高功率、高溫、高頻電子器件中，其絕緣性能和漏電流控制是影響器件可靠性的關(guān)鍵參數(shù)。因此，開展高電壓條件下的阻值與漏電流測試具有重要意義。
一、外觀檢測
測試前對碳化硅材料進(jìn)行外觀檢查，結(jié)果顯示材料表面無裂紋、無污染、電極接觸良好，外觀狀態(tài)良好，滿足測試要求。
二、產(chǎn)品阻值測試
測試電壓范圍設(shè)定為300V至900V，分別在300V、500V和900V條件下進(jìn)行阻值測量，結(jié)果如下：
在300V電壓下，測得阻值為31.735GΩ；
在500V電壓下，阻值為27.028GΩ；
在900V電壓下，阻值為25.317GΩ。
測試數(shù)據(jù)顯示，隨著測試電壓升高，測得的絕緣阻值呈下降趨勢。該現(xiàn)象符合高阻材料在高電場下的非線性導(dǎo)電特性，可能與材料內(nèi)部微弱的載流子激發(fā)或界面效應(yīng)有關(guān)，但整體阻值仍維持在GΩ級別，表明該碳化硅材料具有優(yōu)異的絕緣性能。
三、產(chǎn)品漏電流測試
在相同電壓條件下進(jìn)行漏電流測試，結(jié)果如下：
300V時(shí)，漏電流為0.0094μA；
500V時(shí)，漏電流為0.0018μA；
900V時(shí)，漏電流上升至0.0355μA。
值得注意的是，500V時(shí)漏電流出現(xiàn)異常降低，可能與測試接觸狀態(tài)、儀器瞬態(tài)響應(yīng)或材料極化效應(yīng)有關(guān)，建議重復(fù)測試以確認(rèn)數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。總體來看，漏電流均處于極低水平，符合高質(zhì)量碳化硅材料的預(yù)期表現(xiàn)。
四、測試結(jié)論
在300V~900V測試電壓范圍內(nèi)，該碳化硅材料表現(xiàn)出良好的高阻特性與低漏電流水平，雖存在電壓依賴性，但性能穩(wěn)定，滿足高可靠性電子材料的應(yīng)用需求。建議在實(shí)際應(yīng)用中結(jié)合器件工作電壓進(jìn)行進(jìn)一步的老化與溫濕度應(yīng)力測試，以全面評估其長期穩(wěn)定性。
測試現(xiàn)場已拍攝各電壓條件下的測試畫面，作為原始數(shù)據(jù)存檔。本次測試操作規(guī)范，數(shù)據(jù)真實(shí)有效，為后續(xù)材料選型與器件設(shè)計(jì)提供了可靠依據(jù)。
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