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利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案

發布日期:2025-08-18     作者: 安泰測試     瀏覽數:   

IGBT是什么

IGBT是一個超級電子開關,它能耐受超高電壓。
我們家中插座里的市電交流電電壓是220V,而薄如紙張的IGBT芯片能承受的電壓最高可達6500V。我們一般家庭里家用電器全部開啟最大電流也不會超過30A,而一顆指甲蓋大小的IGBT芯片就能流過約200A的電流!

下圖是安裝在基板上的4個IGBT芯片 和4個二極管芯片。利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖1) 

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖2)

但是,像這樣裸露的芯片是不能直接用的。我們需要把芯片再封裝到一個外殼里面,外殼中再填充絕緣的材料,把芯片的電極引到外端子上,就形成了能夠使用的IGBT產品

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖3)

有的外殼里只有一顆IGBT芯片,有的可能會十幾顆,二十幾顆芯片。于是,就形成了各種各樣的IGBT單管 和模塊。單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右,IGBT模塊的最大額定電流可以達到3600A!
路圖中的IGBT我們一般用下圖來表示,G表示門極gate ,它用來接收指令。C表示集電極collector,E表示發射極emitter,集電極和發射極用來導通電流。平時IGBT是截止的,一旦門極接收到一個開通指令,電流就會源源不斷地從集電極到發射極之間流過。
就好比你家里墻上的開關,按一下,開關閉合,電燈亮起;再按一下,電燈熄滅。

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖4)

當然,操作IGBT,不再是手,而是電子脈沖。
高電平來臨時,器件開通;低電平來臨時,器件就關斷。

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖5)

手動操作開關,可能一秒鐘一兩次,而我們的電子開關,一秒鐘可以開關上萬次,幾十萬次!這就是我們需要電子開關,也就是功率器件的原因。
IGBT
用于新能源汽車:IGBT用于電機驅動系統,能夠實現高效的能量轉換和精確的電機控制,從而提高車輛的加速性能和能效。。

 軌道交通:IGBT用于牽引傳動系統和供電系統,確保列車的安全、穩定運行。

風力發電和太陽能:IGBT用于風力發電和太陽能發電設備的功率轉換系統,能夠將風能或太陽能轉換為電能,并輸送到電網中。

在涉及某一可再生能源項目,具體為風力發電領域,當前階段的核心任務需對電機驅動模塊中內置的IGBT組件進行C-V特性分析。 

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖6)

測試要求

1、測試電壓:1300V

2、要求測試電機驅動模塊內部IGBT MOS管CV特性,確保其能滿足風力發電系統對于高效能量轉換與精確控制的需求。

解決方案

根據上述測試要求,推薦TH513 半導體C-V特性分析儀。

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖7) 

在風力發電系統中,IGBT組件作為電機驅動模塊中的核心部件,其性能直接關系到風力發電系統的整體效率和穩定性。

C-V特性曲線是評估半導體材料和器件性能的重要方式。通過對IGBT組件進行C-V特性分析,可以深入了解其寄生電容、損耗等關鍵參數,進而優化電機驅動模塊的設計,提高風力發電系統的整體性能。

TH510系列是同惠根據當前半導體功率器件發展趨勢,針對半導體材料及功率器件設計的分析儀器。測試頻率為1kHz-2MHz,VGS電壓可達±40V,VDS電壓可達±200V/±1500V/±3000V,足以滿足大多數功率器件測試。具體型號如下:

    

簡要參數

TH511

TH512

TH513

通道

2(可擴展至6)

2(可擴展至6)

1

測試頻率

1kHz-2MHz

測試參數

Ciss、Coss、Crss、Rg

VGS范圍

0 - ±40V

VDS范圍

0 - ±200V

0 - ±1500V

0-±3000V

一、高壓適應性

在風力發電的初期階段,尤其是在海上風電領域,由于環境的特殊性,往往伴隨著極高的電壓挑戰。傳統設備受限于1200V的電壓輸出能力,難以完全滿足這些極端條件下的測試需求。然而,隨著技術的不斷進步,TH513應運而生,它成功突破了這一傳統限制,可覆蓋至3000V的高壓器件范圍,從而完美適配海上風電等嚴苛且多變的場景,為可再生能源的可靠利用開辟了全新的道路。

二、漏源高壓擊穿保護技術

在測試功率器件電容時,漏極D通常會加上高壓,特別是第三代功率半導體器件,電壓甚至可高達1000V-3000V,當漏源瞬間擊穿時,常會導致電容器瞬間短路放電,在漏源電壓1500V時,放電電流可高達780A,如此大的瞬間電流,會反沖至儀器內部電路,并導致損壞。

同惠高壓擊穿保護技術,解決了此隱患,避免經常由于高壓沖擊損壞儀器,降低了維修成本的同時提高了自動化測試的效率。

三、自動化集成

TH513兼容 HANDLER 接口與 SCPI 等協議,該設備能夠無縫對接各類產線與先進的智能測試系統,實現了測試流程的高度自動化與集成化,從而顯著提升生產效率,確保產品質量的同時,縮短了測試周期,為制造流程帶來了更高效、更靈活的解決方案。

四、曲線掃描功能(選件)

在MOSFET的參數中,CV特性曲線也是一個非常重要的指標,如下圖:

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖8) 

TH510系列支持C-V特性曲線分析,可以以對數、線性兩種方式實現曲線掃描,可同時顯示多條曲線:同一參數、不同Vg的多條曲線;同一Vg、不同參數多條曲線。

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖9)

五、TH513-1測試夾具

利用TH510系列進行IGBT的CV特性分析測試方案(圖10) 

TH513-1 是專用于TH513 半導體C-V特性分析儀的測試夾具之一,專為實驗室高精度測試設計。內置Interlock安全聯鎖模塊,符合安全標準。配合TH513-1A、TH513-247-4L(選配)治具工裝可以測試TO-220、TO-247、RO-247-4L等封裝類型的直插功率器件。另外TH513-1還配備3根測試夾,可以測試模組、非標準封裝的器件。

使用 TH51X 系列半導體 C-V 特性分析儀測試 IGBT 的 C-V 特性步驟

一、測試前準備

1. 開箱檢查與環境確認

檢查儀器外觀無運輸損壞,依據裝箱單核對配件(主機、測試夾具、電源線等)。

確認使用環境符合要求:溫度 0℃~40℃,相對濕度≤75%,無粉塵、震動、腐蝕氣體,避免強電磁場干擾。

1. 電源連接與開機預熱

確認供電電壓(100~120Vac 或 198~242Vac)與儀器后面板電源設置一致,供電頻率 47~63Hz,功率≥130VA。

連接三線電源,確保地線可靠接地。打開前面板電源開關(待機狀態為紅色,開機后為綠色),開機預熱≥30 分鐘(建議預熱 60 分鐘以保證精度)。

2. 測試夾具連接

使用原配測試夾具(TH513-1),連接至儀器后面板對應測試端(開爾文四端:Gcur、Gpot、Dcur、Dpot 等)。

清潔夾具及 IGBT 引腳,確保接觸良好。若被測件有屏蔽外殼,將屏蔽層與儀器地 “┴” 相連。

二、儀器基礎設置

1. 系統初始化

按前面板【Preset】鍵恢復出廠默認設置,按【Home】鍵進入主菜單頁面。

按【System】鍵進入系統設置,確認總線模式(默認自動)、系統語言(中文 / 英文)、時間日期等基礎配置。

3. 用戶校正

按前面板【Cal】鍵進入校正菜單,執行 “開路清零” 和 “短路清零”:連接開路 / 短路校準件,觸摸對應選項完成操作。

夾具校準(如需):進入 <夾具校準> 頁面,設置線纜長度(0m 或 2m)、頻率(如 1MHz)、功能(如 Rg-DSS),依次完成開路測試、短路測試及標準件校準。

三、CV 測量參數配置

1. 進入測量頁面

從主菜單觸屏 <CV 測量> 進入測量頁面,或按【Display】鍵切換至測量顯示頁面。

4. 通道選擇

根據儀器型號選擇通道:TH511/TH512 默認 2 通道,TH513 僅 1 通道,觸摸對應通道標識切換。

5. 功能參數設置

觸摸測試結果區域的參數名,在右側菜單選擇需測量的 IGBT 參數:

Ciss(輸入電容):柵極 - 源極間電容,漏源短接狀態。

Coss(輸出電容):漏極 - 源極間電容,柵源短接狀態。

Crss(反向傳輸電容):漏極 - 柵極間電容,源極接地狀態。

6. 測試條件配置

頻率:觸摸頻率設置框,輸入測試頻率(推薦 10kHz~1MHz,根據 IGBT datasheet 選擇,如 1MHz)。

電平:設置交流信號電平(5mV~1Vrms,默認 30mVrms)。

Vg 偏置電壓:設置柵極驅動電壓(如 0V,根據測試需求調整,范圍 - 40V~+40V)。

Vd 偏置電壓:設置漏極電壓(根據 IGBT 耐壓選擇,TH513 最大 ±3000V,如 25V)。

延時:設置偏壓穩定時間(0~60s,默認自動,建議≥10ms)。

速度:在 <CV 測量設置> 頁面選擇測試速度(推薦 “中速” 以平衡精度與速度)。

平均次數:設置測量平均次數(1~32,默認 1,可增加次數提高穩定性)。

四、測試執行

1. 觸發測試

確認觸發模式:在 <CV 測量設置> 頁面設置為 “單次”(手動觸發)或 “連續”(自動重復測量)。

手動觸發:按前面板【Trigger】鍵啟動測試;外部觸發:通過后面板 TRIGGER 接口連接腳踏開關或外部信號。

7. 結果查看

測量結果實時顯示在屏幕上,包括 Ciss、Coss、Crss 的數值(單位:pF/nF)。

觸摸結果區域可調整小數位數,觀察數據穩定性。

8. 曲線掃描(可選)

進入 <CV 曲線> 頁面,選擇模型(如 “Ciss+Coss+Crss-Vd”),設置 Vd 掃描范圍(如 1V~200V)、點數(如 201 點)及掃描步長。

按【Trigger】鍵開始掃描,曲線實時顯示電容隨電壓的變化趨勢,觸屏可查看具體數據點。

五、數據保存與分析

1. 結果保存

插入 U 盤至前面板 USB HOST 接口,觸摸 <CV 測量> 頁面 “保存” 菜單,測試結果以 CSV 格式保存至 “usb/CSV/” 路徑,文件命名規則:cvm - 序列號 - 日期.csv。

按【PrtScn】鍵可保存當前屏幕截圖(.png 格式)。

9. 數據格式

保存數據包含:測試時間、參數名稱(Ciss/Coss/Crss)、測量值、分選結果、通斷測試結果、接觸檢查結果。

注意事項

1. 安全防護:測試高壓(如 TH513 的 3kV)時,確保測試夾具絕緣良好,避免接觸金屬部分。

2. 精度保障:測試前必須完成預熱、開路 / 短路清零及夾具校準,線纜長度需準確設置(0m 或 2m)。

3. 參數匹配:頻率、偏置電壓等設置需參考 IGBT datasheet 的測試條件,確保結果可比性。

4. 異常處理:若提示 “接觸檢查不合格”,檢查夾具連接;“通斷測試失敗” 則需排查 IGBT 器件是否損壞。

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