泰克功率器件IGBT測試方案簡介
IGBT簡介：
IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是常見的功率，期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。
IGBT測試難點：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。
3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。
測試方案：
靜態(tài)測試設備：2600-PCT。可選200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。
測試載臺:高功率探針臺/測試夾具
動態(tài)測試設備：函數(shù)發(fā)生器+泰克示波器MSO5/6+探頭
測試載：臺配套電源測試板
泰克優(yōu)勢：
1.全面的靜態(tài)動態(tài)測試方案；
2.最高100A/3000V高壓高流高精度設備；四線法配置；可進行脈沖測試；最小脈寬100US；從fF到uf電容測試能力；
3.高性能測試夾具支持多種封裝類型；
4.支持大多數(shù)探頭類型，包括KHV三同軸，AHV三同軸，標準三同軸等；可適配絕大部分高功率探針臺；
5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。
測試項目舉例：
靜態(tài)參數(shù)標準測試項目：
擊穿電壓；閾值電壓；開態(tài)電流；漏電流；正向跨導；輸入電容；輸出電容；反向傳輸電容等；
動態(tài)參數(shù)標準測試項目：
開通時間；關斷時間；關斷延遲時間；下降時間，單脈沖開通能量；單脈沖關斷能量。
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